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【VLSI】LSI制造工艺讨论 45～32nm之后的核心技术是？

DATE	2006/06/15

　　【日经BP社报道】

图1：会场“The Hilton Hawaiian Village”

图2：Short Course结束后，在会场院内举行了招待会

　　在6月12日于美国夏威夷州火奴鲁鲁举行的“2006 Symposium on VLSI Technology”的“Short Course”上，就45～32nm之后的LSI工艺技术问题，有6人发表了演讲。演讲主题按工艺可分为（1）布线、（2）内存混载技术、（3）蚀刻、（4）源漏极焊接、（5）CMOS元件技术和（6）高介电率栅极技术共计6项。

　　演讲者分别来自（1）美国英特尔公司、（2）东芝、（3）尼康、（4）富士通、（5）美国佛罗里达大学和（6）美国德克萨斯大学。其中，日本厂商的演讲占到了一半。各演讲中讨论的内容如下。

　　（1）层间绝缘膜和蚀刻终止层的新材料，金属布线的阻挡层和种子层的形成方法，金属布线的研磨方法；（2）混载SRAM微细化的课题及解决方法，取代混载DRAM和新型非挥发SRAM等的混载内存的可能性；（3）液浸ArF曝光、EUV曝光、EB（电子束）曝光及印刷（Imprinting）的可能性，32nm以后的刻蚀技术的可能性；（4）形成超浅结的杂质嵌入技术和退火技术；（5）CMOS元件的发展方向和纳米技术；（6）面向Si MOS FET的高介电率材料的新型候选材料和使用高介电率材料的III-V族MOS FET。

　　另外，关于6月13日开始的此次会议上讨论的尖端工艺技术，一位与会技术人员表示：“往届的VLSI Symposium上，各公司一般都会发布面向新一代加工工艺的平台技术。这也是我每届都参加的原因。而本届会议上，关于65nm和45nm的逻辑LSI的新平台的发表太少，所以影响力就差一些。”（记者：大下淳一）

■日文原文
【VLSI速報】ショート·コースでLSI製造プロセスを議論，45～32nm以降の本命技術とは？

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