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【IDF】英特尔CTO：PRAM将于07年下半年开始量产

DATE	2007/04/19

　　【日经BP社报道】

英特尔展示了试制晶圆的实物。Rattner手里拿的就是PRAM的晶圆。另外，Rattner左后方可以看到以45nm工艺试制的新一代微处理器“Rinren”的300mm晶圆

介绍PRAM特点的幻灯片中声称这是“Next Generation Flash”

　　美国英特尔公司在2007年4月16日于北京举行的IDF Spring 2007上公开了此前该公司一直在开发的PRAM（相变内存）试制晶圆。英特尔首席技术官（CTO）Justin Rattner在主题讲演中表示：“将于2007年下半年开始量产”。“首先将考虑替代NOR型闪存。但并不仅限于此，还有可能要替代DRAM。这是一项值得关注的技术”（Rattner）。

　　PRAM也被称作相变内存，美国英特尔、韩国三星电子和意法半导体等公司正在将其作为继闪存之后的新型非挥发内存而加紧开发。英特尔此前曾表示将于2007年第1季度开始供应采用90nm工艺制造的PRAM评测样品。

■日文原文
【IDF】「PRAMは2007年後半に量産開始」，Intel社CTOが明言

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