【IEDM】惯例的“Late News”，采用（110）面和Ge通道的高速CMOS引人注目--技术在线!

HOME > 新闻一览 > 【IEDM】惯例的“Late News”，采用（110）面和Ge通道的高速CMOS引人注目

【IEDM】惯例的“Late News”，采用（110）面和Ge通道的高速CMOS引人注目

DATE	2007/12/12

　　【日经BP社报道】

会场大厅

　　按照惯例，会议前一天发表的“Late News Paper（临时重要消息公报）”中共有5项内容，其中3项为使用高载流子迁移率的结晶面、Ge通道及SOI（Silicon On Insulator）等Booster技术的高速CMOS。

采用pMOS使导通电流突破1mA/μm

　　备受关注的内容是：AMD与美国IBM系统和科技集团分公司发表的使用硅（110）面pMOS、突破导通电流1mA/μm障碍的内容——（“（110）Channel, SiON Gate-Dielectric PMOS with Record High Ion=1mA/μm Through Channel Stress and Source Drain External Resistance(Rext) Engineering”：演讲序号11.7），以及采用Ge通道和金属（NiGe）源漏极的高速pMOS相关的半导体MIRI项目的发表——（“High Performance 60nm Gate Length Germanium p-MOSFETs with Ni Germanide Metal Source/Drain”：演讲序号34.7）。

　　高速CMOS方面还有台积电（TSMC）发表的用于高速处理器的SOI结构45nm工艺CMOS（“45nm SOI CMOS Technology with 3X Hole Mobility Enhancement and Asymmetric Transistor for High Performance CPU Application”：演讲序号11.8）。

　　此外在CMOS方面，还有东芝、美国IBM及AMD分公司发表的22nm工艺NiPt Silicide Contact技术（“Extendibility of NiPt Silicide Contacts for CMOS Technology Demonstrated to the 22-nm Node”：演讲序号6.8）。发表内容独特的是清华大学发表的片上RF电感（“Ferrite-Partially-Filled On-Chip RF inductor Fabricated Using Low-Temperature Nano-Powder-Mixed-Photoresist Filling Technique for Standard CMOS”：演讲序号26.7），其中使用混合有纳米粉末的光刻胶，开发出了在CMOS上混载RF电感器的低温工艺。（记者：大下淳一）

■日文原文
【IEDM】恒例の「Late News」，（110）面やGeチャネルによる高速CMOSが登場

■相关报道
【IEDM】利用（110）面的MOS FET备受关注

 “就等着量产了！” 索尼超高速CMOS传感器已经投产

 配置超越HDTV的超高速CMOS传感器的数码相机试制机卡西欧计划一年内商品化

■读者反馈
感谢您的意见反馈！
读者反馈的意见不代表日经BP社的立场与观点。日经BP社对读者反馈的内容的信赖性和合法性不做任何保证。由读者反馈引发的任何纠纷，日经BP社不担负任何责任。请读者本着对自己的反馈负责的态度利用本服务。

更多展会