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【IEDM】开幕前专家谈热点：“后微细化”技术成为焦点

DATE	2007/12/12

　　【日经BP社报道】

会场Hilton Washington and Towers

　　电子元件技术国际会议“2007 IEEE International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”于12月10日～12日在美国华盛顿DC举行。在此之前，9日数名专家面对会议参加人员针对会议主题及看点进行了“Short Course”讲演。讲演的焦点聚集在了电子元件微细化技术的后继技术上。

对III-V族和纳米材料的关注度升高

　　Short Course的主题可视为电子元件技术发展的航标。此次的主题为“Performance Boosters for Advanced CMOS Devices”和“Emerging Nanotechnology and Nanoelectronics”，两者均对代替微细化的新技术发展方向进行了探讨。

　　“Performance Boosters for Advanced CMOS Devices”除了探讨基于应变硅及结晶面控制的、提高载流子迁移率的技术外，还介绍了高介电率（high-k）绝缘膜及金属栅极、多栅极FET及DFM（可制造性设计）的动态。“Emerging Nanotechnology and Nanoelectronics”讨论了采用III-V族化合物半导体的CMOS、纳米线、纳米管及纳米元件测量技术，纳米技术的生物科技及医疗应用、MEMS（微机电系统）以及RF技术。有关载流子迁移率高于硅的III-V族化合物半导体的CMOS的内容，据说也将成为10日以后的技术研讨会的“主要议题之一”（担任CMOS元件领域项目委员的东京大学教授高木信一）。

　　技术研讨会的注册人数截止9日为1362人，估计会议期间的全部登记数为1700～1800人，与往年基本相同。另外，Short Course的注册人数“Performance Boosters for Advanced CMOS Devices”为353人，“Emerging Nanotechnology and Nanoelectronics”为292人。（记者：大下淳一）

■日文原文
【IEDM】開幕前日のチュートリアル，“ポスト微細化”技術に焦点

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