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【IEDM】奇梦达开发出面向48nm以后DRAM的新型沟道单元位线间隔削減30％

DATE	2007/12/14

　　【日经BP社报道】

图1：采用WOB构造的沟道单元的断面图

图2：采用WOB构造的沟道单元的断面构造

　　德国奇梦达（Qimonda AG）在半导体制造技术国际会议“2007 International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”上，公布了面向48nm以后细微化工艺开发的沟道型DRAM单元技术（图1）。

　　此次开发的沟道单元，其最大特点是采用了在位线（Bit Line）上设置字线（Word Line）的构造（图2），这种构造叫做WOB（wordline over bitline）。包括90nm工艺、75nm工艺和58nm工艺在内的该公司原来的沟道单元，均采用了在字线上设置位线的构造。

　　采用WOB构造有三大优点。第一，位线间隔可削减约30％。这样一来，便可增加信号裕量（Signal Margin）、提高DRAM的性能。由于WOB采用了通过字线遮蔽单元内位线间隔的构造，因此可减小位线间隔。第二，由于可自行调节形成位线接触，因此形成DRAM阵列时需要的掩模比原单元少一片，从而有利于降低制造成本。第三，可自行调节形成的层数，由原单元的一层增至WOB的三层。可自行调节形成的层数的增加，意味着在位置校准时需要高精度定位的层数减少，因此有望提高制造成品率。

　　奇梦达利用通过75nm工艺技术制造的512MB DRAM，确认了上述效果。该公司表示，WOB构造还可用于低于40nm的工艺。（记者：大石基之）

■日文原文
【IEDM】Qimonda社が48nm世代以降のDRAMに向けた新型トレンチ·セルを開発，ビット線間容量を30％削減

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