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【IEDM】NEC发布32nm工艺用布线技术层间绝缘膜的任何层都可连续成膜

DATE	2007/12/18

　　【日经BP社报道】

布线的有效介电常数(keff)由原来的2.9降至2.75

　　NEC发布了通过降低层间绝缘膜所有层的低介电率（low-k）从而实现连续成膜的32nm工艺用布线技术（演讲序号37.2）。栅绝缘膜采用可抑制Cu扩散的low-k材料。布线的有效介电常数(k_eff)由原来的2.9降至2.75。

采用可与SiOCH膜连续成膜的low-k膜

　　NEC栅绝缘膜采用的是名为“硅碳复合膜（SCC：silica-carbon composite）”的low-k材料(介电常数k值为3.1)。该材料之所以可以抑制Cu扩散，是因为含有不饱和碳化氢。其特点是可以利用等离子体共聚法（Plasma Copolymerization）与组成层间绝缘膜的SiOCH膜实现连续成膜。除可以降低成膜成本外，“还可以提高栅绝缘膜和SiOCH膜的密着性，提高布线的可靠性”（NEC元件平台研究所所长望月康则）。有效介电常数之所以得以降低，是因为SCC的介电常数比此前用于栅绝缘膜的SiCN的k值（4.9）低。

　　NEC曾经在“2006 IEDM”上公布了利用等离子体共聚法来实现栅绝缘膜（SiCN）之外的层连续成膜的技术。此次，包括栅绝缘膜在内的所有层实现了连续成膜。（记者：大下淳一）

■日文原文
【IEDM】NECの32nm向け配線技術，層間絶縁膜のすべての層を連続成膜可能に

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