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【IEDM】相变存储器实现4bit/单元英飞凌等开发出写入技术

DATE	2007/12/18

　　【日经BP社报道】

控制写入脉冲的波动（轨迹）形状

验证面向10×10阵列的4bit/单元（16值）写入

　　德国英飞凌科技、德国奇梦达、美国IBM以及台湾旺宏电子的研究小组，联合开发出了旨在实现相变存储器2bit/单元（4值）以及4bit/单元（16值）多值化的新型写入技术（演讲序号17.5）。并利用基于180nm CMOS工艺的试制阵列，对2bit/单元类型的16kbit页写入以及4bit/单元类型的10×10阵列写入进行了验证。

　　英飞凌等开发的技术将写入用电流脉冲的上升与下降（tail）形状控制为阶梯状等，以形成不同阻值的多层相变膜的结晶化状态。已证实数据读取时间为600ns，可以写入10⁹次。相变膜使用的是添加有氮的GeSbTe（GST）膜。（记者：大下淳一）

■日文原文
【IEDM】相変化メモリーで4ビット/セル，Infineonらが書き込み手法を開発

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