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【IEDM】三星实力超群北京大学的发表引人注目

DATE	2007/12/18

　　【日经BP社报道】

三星发表的硅纳米线晶体管

MIRAI-ASET、Covalent Materials、MIRAI-AIST及东京大学开发出了纳米线侧面平坦化工艺

北京大学发表的硅纳米线晶体管

　　在以终极FET结构而备受瞩目的纳米线晶体管领域，IEDM上发表的相关论文逐年增加。在大会最后一天举行的“Advanced Device Structures”会议（Session 34）上，有4篇论文发表了有关纳米线晶体管的实测数据。就该领域而言，亚洲在历届IEDM上都占据绝对优势，本届会议也一样，所有发表都是来自包括日本在内的亚洲与会者所做的。另外，在纳米管、纳米线及纳米带的建模模拟方面，与会者于当天另外举行的会议“Nanotubes, Nanowires and Nanoribbons”（Session 29）上进行了讨论。

分析纳米线的线宽依存性

　　韩国三星电子系统详细地分析了硅纳米线晶体管的线宽依存性，实验数据证明当直径为4nm时泄漏电流和载流子移动率最大（演讲编号34.2）。并首次介绍了直径在4nm以下时发生的DIBL（drain-induced barrier lowering）及亚阈值斜率下降的独特现象。

　　另外，三星还通过实验证明，具有硅锗源极与漏极的纳米线晶体管可凭借应变效果将pMOS驱动力提高85％（演讲编号34.4）。该公司在历届IEDM上都进行硅纳米线晶体管的发表，产品的特性及试制工艺超群出色。

　　MIRAI-ASET、Covalent Materials、MIRAI-AIST及东京大学的研究小组共同制造了基于应变硅及硅锗的纳米线晶体管（演进编号34.1）。实验证明，通过利用氢退火工艺使纳米线侧面实现平坦化，与没有应变效果的硅纳米线相比，可获得更高的载流子迁移率。

已往少有论文的中国也发表演讲

　　北京大学发表了直径10nm、栅长130nm的硅纳米线晶体管，也引起了很大关注（演讲编号34.3）。在历届IEDM上中国几乎没有发表过论文。北大发表的晶体管不使用SOI（绝缘体硅）底板，而是通过采用Bulk底板的新工艺，制造出了漏极电流超过1mA/μm的高性能纳米线晶体管。该硅纳米线晶体管估计是利用北京大学自己的设施制造的。（特约撰稿人：东京大学生产技术研究所平本俊郎）

■日文原文
【IEDM】実力で群を抜くSamsung，ナノワイヤー·トランジスタは今回もアジア勢が圧倒

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