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【ISSCC】东芝开发容量32Mbit、频率833MHz的混载DRAM技术

DATE	2008/02/13

　　【日经BP社报道】

此次开发的DRAM芯片照片东芝数据

模拟2端口方式东芝数据

　　东芝作为LSI混载用存储器新技术开发成功了容量为32Mbit、工作频率833MHz的DRAM。今后，在65nm工艺的图像处理LSI上内置该DRAM，可提高LSI的运行速度。

　　此次的DRAM为提高速度，改变了原来的访问方式。原来采用每次都需要指定对象领域的方式进行读写。此次，改用名为“模拟2端口”的方式。将存储器整体虚拟分为两个部分，并行、交互进行读写处理，提高了速度。

　　另外，还通过调整数据输入指令系统等方法优化了整个电路。通过这些措施，“在可用于广泛用途的32Mbit以上的大容量混载DRAM中，实现了833MHz的全球最高工作频率”。（记者：小岛郁太郎）

■日文原文
【ISSCC】東芝，32Mビットで833MHz動作の混載DRAM技術を開発

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