【VLSI】日立等开发以辅助电源补偿LSI内部电压下降的技术
| DATE | 2008/06/19 |
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【日经BP社报道】
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| 电路区块的电压下降时,连接辅助电源。 |
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| 可使负荷猛增导致的电压下降减小40mV。 |
一般来说,在工作负荷大的电路区块附近,容易产生电源线内电压大幅下降的现象,从而导致LSI工作不稳定。为解决这一问题,通常是将电源电压略微提高,以留有余地。但这又阻碍了LSI的低电压化。
此次,在电路区块内配备片上数字电压计来检测电压下降,并将电路区块连接到普通电源系统以外的辅助电源上。用基于65nm工艺技术试制的测试芯片进行的效果确认表明,采用辅助电源,可以将LSI内部的电压下降减小40mV。由此,可以将1V的电源电压降至0.96V。
由于辅助电源可以只为必要的电路区块供电,因此下层布线可以较细。与加粗上层电源布线以抑制电压下降的方法相比,布线的利用效率更高。两家公司力争2010年使该技术达到实用水平。(记者:木村 雅秀)
■日文原文
【VLSI速報】日立製作所ら,補助電源でLSI内部の電圧降下を補う
【ISSCC】日立和瑞萨开发新技术,系统LSI的片上SRAM耗电量可削减约40%
【ISSCC】日立双电源电路技术减少耗电25%
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“拓展知识面的好方法。”——2008年7月22日11时15分21秒
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