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【VLSI】东芝的Fin型FET：加载3个方向的应变使驱动力提高2倍以上

DATE	2008/06/20

　　【日经BP社报道】

图1：从3个方向加载应变。东芝数据。

图2：Fin型FET的结构。东芝数据。

　　东芝证实，通过向Fin型FET的通道加载3个方向的应变，可以把电流驱动力提高至2倍以上。验证的详细内容已在正于美国檀香山举行的“2008 Symposium on VLSI Technology”上发布（演讲序号2.4）。今后，该公司将把其应用于32nm工艺以后的LSI上。

　　对于n型FET，栅极长度方向和宽度方向分别加载了拉伸应变，栅极高度方向则加载了压缩应变。对于p型FET，栅极长度方向加载了压缩应变、栅极宽度方向加载了拉伸应变。加载应变后，n型FET和p型FET的电流驱动力分别提高了2倍和1.5倍以上。另外，通道使用的是（110）面。

　　除此之外，东芝还表示，向Fin型FET的通道加载的单轴应变同时有助于提高电流驱动力和降低栅极漏电流。通过向n型FET的栅极长度方向加载1％的拉伸应变，向p型FET的栅极长度方向加载1％的压缩应变，其驱动力都分别提高了40％。对于p型FET，栅极漏电流还降低了70％。（记者：大下淳一）

■日文原文
【VLSI速報】東芝のフィンFET，3方向からのひずみ印加で駆動力を2倍以上に

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