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TDK 推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI

DATE	2008/08/08

　　 2008年8月7日TDK宣布，开发出GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI，该产品计划于九月份开始销售。

　　GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，与2K字节/页和4K字节/页的NAND闪存兼容。该控制器支持单级单元(SLC)和多级单元 (MLC)NAND闪存，实现了从128M字节到16G字节(SLC)和256M字节到32G字节 (MLC)的高速闪存存储容量，因而该控制器适用的应用领域非常广泛。此外，该控制器具有128针TQPF封装方式和121针VFBGA封装方式。

　　该控制器实现了高速控制、采用 15 位纠错码 (ECC)、GBDriver 系列共有的自动恢复功能以及断电时的并行错误预防功能，这些设计提高了 NAND 闪存的数据可靠性。

　　此外，GBDriver RA8系列采用了一种新式独创的静态耗损均衡算法 (static wear leveling algorithm)，使每个存储块的重写次数更加平均，这样就最大程度地延长了 NAND 闪存的擦写寿命。闪存管理功能包括改进的设定每个存储块擦写次数的"智能功能"(SMART)，并对量化评估、管理及 NAND 存储系统进行了简化。

　　TDK 将于 2008 年 10 月发售配备了新型 GBDriver RA8 控制器的工业小型闪存卡和固态驱动器 (SDD) 。

主要用途

　　主要用于民用、工业用嵌入式系统设备及 IT 设备，例如：数码相机、便携摄像机、数字电视、机顶盒 (STB)、多功能打印机、车载导航系统、便携式导航设备 (PND)、车载音响、电子收费 (ETC) 终端、销售点 (POS) 终端、金融业务终端与 ATM 机、医疗设备、测量仪器、机械工具、工厂自动面板计算机及触摸屏系统。

主要特性

　　1. 主机接口：

　　GBDriver RA8与PIO0-6、Multiword DMA0-4及Ultra MA0-6兼容，支持高达50MB/秒的读访问速度和 35 MB/秒的写访问速度（采用 MLC时为15MB/秒）。（*实际速度取决于安装的闪存）

　　2. 支持的闪存：

　　GBDriver RA8 控制器支持所有厂商最新的 2 K 字节/页和 4 K 字节/页结构的 NAND 闪存及其最新产品。由于这些产品都与 SLC 和 MLC NAND 闪存兼容，该控制器实现了从 128 M 字节到 16 G 字节 (SLC) 和 256 M 字节到 32 G 字节 (MLC) 的存储容量。

　　3. 适用于所有存储块的静态耗损均衡功能：

　　新的静态耗损均衡算法使每个存储块的擦写次数更加平均。可将静态耗损均衡设为任意范围，超出静态耗损均衡的区域按动态耗损均衡管理。

　　4. 改进的断电耐受性：

　　在写数据时如发生断电，独创的算法可全面预防并行错误，不让错乱的数据写入。

　　5. 纠错和恢复：

　　闪存鉴别功能采用 8 位/段 ECC 或 15 位/段 ECC 来提供纠错能力，为适应未来的发展预留了空间。自动恢复功能包括在重复读取数据时自动纠正位错误（读干扰错误）。

　　6. 其他功能：

　　(a) 总簇数量设置功能。
　　可调高或调低分配给数据区的逻辑块数量。例如，可通过减少数据区逻辑块的数量来提高可写入数据的次数。反之，如果应用不要求长寿命，可通过增加数据区逻辑块的数量来加大存储容量。

　　(b) 保护功能。
　　采用 ATA 标准保护功能，使用户能够设置和取消密码以保护重要数据。

　　(c) "智能命令"支持
　　可通过"智能命令"设定所有内存块的擦写次数，便于确定闪存状态和相关管理。

　　7. 解决方案支持

　　TDK自2000年开始自主研发和销售 GBDriver系列NAND闪存控制器，依托其先进技术为日本和国外客户提供技术支持，包括派遣现场应用工程师和实施可靠性监控工作，嵌入式系统市场对此有强烈需求。

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