IEDM 2007 12.5～7

【IEDM】开幕前专家谈热点：“后微细化”技术成为焦点

　　电子元件技术相关国际会议“2007 IEEE International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”于12月10日～12日在美国华盛顿DC举行……(详见全文）

【IEDM】Ge通道MOS场效应管，提高载流子迁移率的技术纷纷发表

　　在“2007 IEDM”的最后一天（12月12日），多个研究机构集中报告了作为提高CMOS性能的技术而备受期待的Ge通道MOS场效应管……(详见全文）

【IEDM】松下电器公布耐压高达1万伏以上的GaN晶体管技术

　　松下电器产业开发出了耐压高达1万400V、采用GaN类半导体的晶体管（日文发布资料）。这一数值相当于之前GaN类晶体管的最大值“1900V的5倍以上”……(详见全文）

【IEDM】IMEC开发出high-k/金属栅极成形工艺的简化方法

　　在IEDM大会第二天的“Gate Stack Process II – Metal Gate/High K Integration”会议上，有关高介电率（high-k）绝缘膜/金属栅极（MGHK：metal gate/high-k)的论文相继发表……(详见全文）

【IEDM】三星实力超群北京大学的发表引人注目

　　在以终极FET结构而备受瞩目的纳米线晶体管领域，IEDM上发表的相关论文逐年增加。在大会最后一天举行的“Advanced Device Structures”会议（Session 34）上，有4篇论文发表了有关纳米线晶体管的实测数据……(详见全文）

【IEDM】III-V族半导体FET亮相逻辑CMOS相关成果接连发布

　　在“2007 IEDM”上发布的提高CMOS性能的技术中，亮点之一当属面向逻辑CMOS的III-V族半导体通道FET（III-V FET）……(详见全文）

【IEDM】相变存储器实现4bit/单元英飞凌等开发出写入技术

　　德国英飞凌科技、德国奇梦达、美国IBM以及台湾旺宏电子的研究小组，联合开发出了旨在实现相变存储器2bit/单元（4值）以及4bit/单元（16值）多值化的新型写入技术（演讲序号17.5）……(详见全文）

【IEDM】NEC发布32nm工艺用布线技术层间绝缘膜的任何层都可连续成膜

　　NEC发布了通过降低层间绝缘膜所有层的低介电率（low-k）从而实现连续成膜的32nm工艺用布线技术（演讲序号37.2）。栅绝缘膜采用可抑制Cu扩散的low-k材料。布线的有效介电常数(keff)由原来的2.9降至2.75……(详见全文）

【IEDM】英特尔令人震惊的数据：“利用high-k/金属栅极减轻特性不均”

　　认为导致MOS晶体管微细化出现极限的原因之一是特性不均的看法近来日益普遍。在最近举行的半导体技术国际学会上……(详见全文）

【IEDM】NEC电子开发出基于铜通孔的熔丝技术将首先从55nm工艺开始导入

　　NEC电子开发出了采用铜通孔（用于连接铜布线）的熔丝技术（演讲序号2.5）。NEC电子计划将该技术导入07年年底开始量产的55nm工艺LSI中，促进制造成品率的提高。由于该项技术“可用于多种工艺”……(详见全文）

【IEDM】台积电开发出32nm工艺低功耗SoC的CMOS技术已确认2Mbit SRAM可正常工作

　　台积电（TSMC）开发成功了面向32nm工艺低功耗SoC（系统级芯片）的CMOS技术，并在半导体制造技术国际学会“2007 International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”上进行了发布……(详见全文）

【IEDM】MIRAI使用标准工艺开发出等效氧化层厚0.5nm的MOS场效应管

　　　半导体MIRAI项目的子项目组通过标准的MOS制造工艺（Gate-first Process，先加工栅极工艺）开发成功了等效氧化层厚度（EOT）为0.5nm的极薄型MOS场效应管（演讲序号20.2）。通过在栅叠层（Gate Stack）上使用高介电率（high-k）绝缘膜/FUSI（全硅化）栅极……(详见全文）

【IEDM】英特尔和台积电发布45nm工艺高性能CMOS

　　会议第二天下午，在3个会场上进行了高介电率（high-k）绝缘膜与金属栅极（MGHK：metal gate/high-k)相关的发表。备受关注的美国英特尔45nm工艺CMOS的发表在“Advanced CMOS Logic and SoC Platforms”会场（Session 10）举行。时间上与此前后关系……(详见全文）

【IEDM】东芝超高密度闪存用单元层叠技术取得进展可减小单元的阈值偏差

　　东芝在半导体制造技术国际会议“2007 International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”上，公布了超高密度闪存用三维单元层叠技术“BiCS（Bit-Cost Scalable）”的最新开发成果……(详见全文）

【IEDM】奇梦达开发出面向48nm以后DRAM的新型沟道单元位线间隔削減30％

　　德国奇梦达（Qimonda AG）在半导体制造技术国际会议“2007 International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”上，公布了面向48nm以后细微化工艺开发的沟道型DRAM单元技术……(详见全文）

【IEDM】丰田工大：量子纳米结构开拓元器件的未来

　　纳米线及量子点等“量子纳米结构”的导入将给电子元器件带来新的进步。原东京大学教授、丰田工业大学副校长榊裕之在12月10日的主题演讲中这样展望……(详见全文）

【IEDM】三星谈未来内存发展方向 “NAND和DRAM都将实现30nm工艺”

　　半导体制造技术国际会议“2007 International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”12月10日于美国华盛顿DC开幕。开幕当天，全球最大的内存厂商韩国三星电子以“Memory Technologies for sub-40nm Node”为题发表了特邀演讲……(详见全文）

【IEDM】惯例的“Late News”，采用（110）面和Ge通道的高速CMOS引人注目

　　按照惯例，会议前一天发表的“Late News Paper（临时重要消息公报）”中共有5项内容，其中3项为使用高载流子迁移率的结晶面、Ge通道及SOI（Silicon On Insulator）等Booster技术的高速CMOS……(详见全文）

【IEDM】high-k与金属栅英特尔推出产品也无法终结议论

　　IEDM会议第一天下午，CMOS元件委员会（CMOS Devices subcommittee）召开了“金属栅与High-K栅极介质”分会（会议3）。由于高介电率（high-k）绝缘膜与金属栅（MGHK：metal gate/high-k) 叠层（stack）将被导入今年11月底上市的美国英特尔45nm工艺微处理器中……(详见全文）

【IEDM】提高CMOS驱动力多种手法亮相

　　“2007 IEDM”上有关提高CMOS驱动力的技术方面，在应变硅和利用（110）面等现有技术的优化方向、以及Ge和III-V族半导体等通道材料的替代方向上有多场演讲……(详见全文）

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