半导体电路技术国际会议“ISSCC” 2008年2月2～7日，美国旧金山

【ISSCC】东芝开发出可变容量型RF MEMS，力争2010年实用化

　　东芝开发成功了有望使新一代手机等多频带无线通信产品降低成本、缩小体积的RF MEMS元件。今后，将面向量产进一步开发，力争2010年达到实用水平……(详见全文）

【ISSCC】3bit/单元的NAND首次亮相 SanDisk和东芝发布写入速度为8MB/秒的16Gbit产品

　　美国SanDisk和东芝在“ISSCC 2008”上发布了采用每单元3bit多值技术的56nm制造工艺16Gbit NAND闪存。这是每单元3bit的多值NAND闪存首次亮相ISSCC。写入时的数据传输速度为8MB/秒，是56nm制造工艺的每单元2bit产品的数据传输速度（10MB/秒）的4/5左右……(详见全文）

【ISSCC】NEC开发出支持40Gbit/秒光通信的时钟数据恢复电路

　　NEC宣布该公司开发出了支持40Gbit/秒光通信的时钟数据恢复（Clock Data Recovery）电路。该公司开发出了可高精度检测光纤内接收信号的失真波形，并根据波形自动优化信号读取点的技术实现了此次的IC……(详见全文）

【ISSCC】耗电量仅为原来的1/10 NEC开发出传感器网络用无线通信LSI

　　NEC宣布，开发出了通过使用双频带使耗电量降至原来约1/10以下的无线通信LSI以及基于该芯片的通信网络技术。主要用于利用无线设备和将各设备连接起来的传感器网络……(详见全文）

【ISSCC】英特尔公布2W以下86系列处理器“Silverthorne”详情

　　美国英特尔在2008年2月3日于美国旧金山举行的半导体技术国际学会“ISSCC 2008”上，介绍了面向热设计耗电量（TDP）为2W的UMPC 86系列处理器“Silverthorne（开发代号）”的详情……(详见全文）

【ISSCC】NEC开发出60GHz频带收发IC技术采用90nm工艺CMOS技术

　　NEC采用90nm工艺的标准CMOS技术，开发出了60GHz频带、输出功率达到实用水平的收发IC技术。主要面向在办公室和家庭等室内进行高速无线传送的毫米波设备……(详见全文）

【ISSCC】日立和瑞萨开发新技术，系统LSI的片上SRAM耗电量可削减约40％

　　日立制作所与瑞萨科技开发出了底板偏压控制电路技术，用来削减系统LSI中的片上SRAM工作电压。将该技术应用于采用65nm工艺试制的单元面积为0.51μm2的1Mbit SRAM模块时，与不采用时相比，所有bit均可在300mV的低电压下工作……(详见全文）

【ISSCC】东芝开发出2Mbps高速物理随机数发生电路

　　东芝开发出了能够以2Mbps的速度产生物理随机数的电路技术。新技术改良了噪音源元件及整个电路构造，实现了面积比原来小近9成的小型物理随机数发生电路。目标是应用于IC卡和便携终端的安全保护用途……(详见全文）

【ISSCC】瑞萨等开发出SH-Mobile G3，在各IP内核中追加专用MMU

　　瑞萨科技在2008年2月3日于美国旧金山举行的半导体电路技术国际学会“ISSCC 2008”上，公布了其与NTT DoCoMo及多家手机厂商共同开发的手机应用处理器“SH-Mobile G3”详情。目前正在量产供货的“SH-Mobile G2”采用的是90nm工艺制造技术，而此次则采用65nm工艺的CMOS技术制造……(详见全文）

【ISSCC】数字家电革命的“第二浪潮”

　　半导体电路技术国际学会“2008年国际固态电路会议（ISSCC 2008）”2008年2月4日在美国旧金山开幕。在会议首日上午的主题演讲中韩国三星尖端技术研究所（Samsung Advanced Institute of Technology）首席执行官Hyung Kyu Lim首先登台……(详见全文）

【ISSCC】NEC和NEC电子开发可自由调整频率特性的模拟基带LSI技术

　　NEC和NEC电子在全球首次开发成功并发布了可自由调整频率特性的模拟基带LSI技术。原来通过切换多个模拟电路才可实现的特性可变功能，现在利用基于高速数字信号的编程，通过一个滤波器即可实现……(详见全文）

【ISSCC】日立将测量人体周围温度的系统集成于体积为30立方厘米的小型模块中

　　日立制作所开发出了可连续约3年随时测量人体周围温度的穿戴式系统“Life Thermoscope”，并在“ISSCC 2008”上发表（演讲序号：7.1）了该系统……(详见全文）

【ISSCC】连编译器的耗电都要考虑的时代到来——早大、日立和瑞萨开发新技术

　　早稻田大学教授笠原博德的研究小组、日立制作所和瑞萨科技开发出了利用并行编译器降低多核LSI耗电量的技术。并在从08年2月3日起在美国旧金山举行的半导体国际学会“ISSCC 2008”上发布了具体内容……(详见全文）

【ISSCC】利用自动化技术实现Cell从65nm版向45nm版的过渡

　　 IBM公司和索尼计算机娱乐美国公司在2008年2月3日于美国旧金山开幕的半导体技术国际学会“2008年国际固态电路会议（ISSCC 2008）”上，公布了45nm版Cell的设计情况（演讲编号4.3）……(详见全文）

【ISSCC】松下开发不使用外部存储器便可扩大MOS图像传感器动态范围的技术

　　松下电器产业宣布开发出了明暗比（动态范围）达到140dB（1000万倍）、可实时拍摄影像的MOS图像传感器电路技术。原来的普通图像传感器的动态范围为60dB（1000倍）左右。今后计划将此次开发的电路配备在该公司的“vMaicovicon”图像传感器上……(详见全文）

【ISSCC】东芝开发容量32Mbit、频率833MHz的混载DRAM技术

　　东芝作为LSI混载用存储器新技术开发成功了容量为32Mbit、工作频率833MHz的DRAM。今后，在65nm工艺的图像处理LSI上内置该DRAM，可提高LSI的运行速度……(详见全文）

【ISSCC】比利时IMEC展出有机RFID标签由414个并五苯TFT构成逻辑电路

　　比利时研究机构IMEC和荷兰TNO在ISSCC 2008上发表了关于有机RFID的演讲（演讲序号15.3）。通过集成414个有机半导体材料采用并五苯的TFT构成了逻辑电路。通信距离最大为10cm，能够以约780bit/秒的数据传输速度读取数据……(详见全文）

【ISSCC】富士通采用CMOS开发出77GHz频带放大器面向低价位毫米波雷达

　　富士通研究所2008年2月4日宣布采用CMOS技术开发出了可用于77GHz频帯的功率放大器（PA）。设计规格采用90nm工艺，电源电压为1.2V时，饱和功率为6.3dBm，增益为8.5dB。此前，一般使用化合物半导体GaAs……(详见全文）

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