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【VLSI】东芝的Fin型FET：加载3个方向的应变使驱动力提高2倍以上
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【VLSI】日立等开发以辅助电源补偿LSI内部电压下降的技术
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【VLSI】NEC等开发SoC的低成本制法，用1种金属栅极构成逻辑和内存部分NEC与NEC电子共同开发了32nm工艺以后的高速大容量内存混载SoC（system on a chip）的低成本制造方法（演讲序号5.3）。该技术可以以1种金属栅极，实现逻辑与部分内存必需的3种阈值电压……(详见全文） |
【VLSI】Aptina Imaging发布1.25英寸CMOS传感器，可以60帧/秒的速度拍摄4K2K影像美国美光科技(Micron Technology) 旗下的Aptina Imaging部门发布了4112×2168像素（约890万像素）的1.25英寸CMOS图像传感器“MT9E501”该产品是与NHK合作开发，并专门提供给日本放送协会（NHK）的超高清影像项目的……(详见全文） |
【VLSI】超高速、低功耗，65nm工艺A-D转换器亮相“2008 Symposium on VLSI Circuits”第二分组会议“High-Speed Data Converters”中，使用65nm或90nm工艺的CMOS技术，实现分辨率为5bit～6bit、采样速度高达1G～10G样本/秒的模拟数字转换器……(详见全文） |
【VLSI】SRAM误差对策技术荟萃一堂，探求6晶体管型的极限6晶体管型SRAM单元的问题在于，随着微细化的发展，如果成对运行的MOS的误差增大，就会出现动作余量下降的问题，例如降低电源电压后进行读取操作时信息会被破坏……(详见全文） |
【VLSI】内置167个处理器的LSI及新一代车载图像处理器引人注目在2008年6月18日开幕的LSI电路技术国际会议“2008 Symposium on VLSI Circuits”第3分组会“Parallel Processing”上，用多核处理器以及图像处理用SIMD型处理器来进行信号处理的技术发布引起关注……(详见全文） |
【VLSI】富士通开发出32nm工艺CMOS技术，不使用新型金属栅极材料并且降低了成本
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【VLSI】富士通研等开发出可在数百纳秒内使电路电源复原的技术
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