【日经BP社报道】

图1：2008年6月23日召开的记者招待会。NEC电子环境管理部长铃木芳明和环境管理部小组负责人伊藤直也。

图2：CVD成膜工序。PFC作为清洁气体来使用。

图3：NEC电子PFC排放量的历史数据和预测数据。2010年之前的PFC排放量减少到1995年的90％以下的当初的预定目标，预计可提前实现。

　　NEC电子宣布2007年的碳氟化合物（PFC）排放量比上年减少了21％。以C₂F₆（六氟乙烷）和C₃F₈（全氟丙烷）为主要成分的PFC温室效应为CO₂的5700～1万1900倍。该公司把2007年排放的温室气体全部换算为CO₂的话，相当于76万吨CO₂、约占全体排放量的60％。

　　该公司在生产LSI时，主要在基于CVD法的成膜工序和之后的蚀刻工序中使用了PFC。前者是成膜之后，将PFC作为分解并排出腔体内剩余原材料残渣的清洁气体（图2）。后者则是作为蚀刻气体在电路板图案的成型过程中使用。

　　其中，NEC电子通过改进CVD成膜工序、减少了21％的PFC排放量（图1）。具体来说，就是改进了气体流量和清洗时间，使用比原来少40％的气体使用量就能实现腔内残渣的清除。另外，把原来使用的C₂F₆（GWP^*1：1万1900）改换为温室化系数更低的C₃F₈（GWP：8600）。不过从CO₂削减效果来看，使用量减少40％的做法“具有绝对优势”（该公司环境管理部小组负责人：伊藤直也）。

^*1：地球温室化系数（Global Warming Postential）。用相对于一个单位CO₂下的温室气体效果的强弱来表示

　　2008年之后，在上述削减努力的基础上，NEC电子导入PFC清除装置的效果也将体现出来。NEC电子于2007年度，在其生产子公司NEC半导体九州·山口的山口工厂和NEC关西（现NEC半导体关西）的滋贺工厂的150mm生产线上分别导入了5和1台燃烧式去除设备。另外，还计划2008年度在NEC半导体九州·山口的熊本工厂的200mm生产线上导入相同的设备。通过这些措施，预计2009年PFC排放量可降低到2007年的一半一下（图3）。（记者：望月 惠太）

■日文原文
NECエレ，2007年のPFC排出量を前年比で21%削減

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